数据库系统工程师基础知识(选择题)模拟试卷7
中文选择题(含3小题)
设在图3-8和图3-9所示的系统中,R1,R2,R3为3个加工部件,每个加工部件的失效率均为丸,可靠性均为只。则图3-8系统的失效率为(20),可靠性为(21)。图3-9中系统的失效率为(22),可靠性为(23)。若每个加工部件的平均无故障时间为5000小时,则图3-9中系统的平均无故障时间为(24)小时。
1.(B)
A. R/3
B. R3
C. 3R
D. 1-R3
解析:
2.(D)
A. (3/2)λ
B. (2/3)λ
C. (6/11)λ
D. 2λ
解析:
3.(C)
A. (1-R2)3
B. 3(1-R2)
C. R3(2-R)3
D. 1-3(1-R2)
解析:
4.(A)
A. 2500
B. 5000
C. 7500
D. 3333
解析:显然,图3-8是一个简单的串联系统,其失效率为λ+λ+λ=3λ,系统的可靠性为 R×R×R=R3。
在图3-9中,总体上是一个串联系统,但每个部分又是一个开联系统。因此,我们先求出每个部分的失效率和可靠性。根据并联系统的公式,每个部分的失效率为λ/(1+1/2)=2λ/3,每个部分的可靠性为1-(1-R)2。
所以,按照串联系统的公式,系统总的失效率为:
2λ/3+2λ/3+2λ/3=2λ
总的可靠性为:
(1-(1-R)2)×(1-(1-R)2)×(1-(1-R)2)=R3(2-R)3
由于系统的总失效率为2λ,且每个部件的平均无故障时间=1/λ=5000h,所以系统的平均无故障时间为
MTBF=1/2λ=1/2×5000=2500h
在段页式管理的存储器中,实存等分为(27)、程序按逻辑模块分成(28)。在多道程序环境下,每道程序还需要一个(29)作为用户标志号。每道程序都有对应的(30)。一个逻辑地址包括(29)x、段号s、页号p和页内地址d四个部分。假设总长度为22位的逻辑地址格式分配如下:21~20位x;19~14位s;13~11位p;10~0位d。若x,s,p,d均以二进制数表示,其转换成的物理地址为(31)。
5.(A)
A. 段
B. 页
C. 基
D. 模块
解析:
6.(E)
A. 段
B. 页
C. 基
D. 模块
E. 基号
解析:
7.(B)
A. 一个段表和一个页表
B. 一个段表和一组页表
C. 一组段表和一个页表
D. 一组段表和一组页表
解析:
8.(D)
A. x×220+s×214+p×211+d
B. ((x)+x+p)×211+d
C. (((x)+s)+p)+d
D. (((x)+s)+P)×211+d
解析:本题涉及存储管理知识,主要考查段页式存储管理。
段页式存储组织是分段式和分页式结合的存储组织方法,这样可充分利用分段管理和分页管理的优点。在段页式管理的存储器中,程序按逻辑单位分成基本独立的段,再把每段分成固定大小的页。实存则等分成与上述页大小相等的页。程序对内存的调入或调出是按页进行的。但它又可按段实现共享和保护。
在多道程序环境中,每道程序都有一张段表和一个作为用户标志的基号。每道程序有一个基号与其他程序相区分,每道程序可以有多个段,但只有一个段表,每个程序可以有多个页表。一个逻辑地址中,除了基号(x)、段号(p)和页号(s)外,还有一个页内地址(d)。
每个逻辑地址变换成实地址的过程如下:
(1)首先,由基号在基寄存器中找到该道程序的段表起始地址;
(2)接着,由该地址及段号在该程序段表中找到该程序特定段的页表起始地址;
(3)再由页表起始地址及页号找到物理地址的实页号;
(4)最后,由该实页号拼接上页内地址就是物理地址。
该过程可简单地用一个式子来示意,即
(((x)+s)+p)×211+d
其中,(x)表示基寄存器中地址为x的单元的内容。由于本题中给出页内地址占 11位(从位0到位10),故实页号c与d拼接成的物理地址为
c×211+d
段页式管理将段式存储管理和页式存储管理两种方式相结合,互相取长补短,充分发挥了它们的优点。段页式虚拟存储器管理方案具有空间浪费小、存储共享容易、存储保护容易、能动态连接的特点。但由于管理软件的增加,复杂性和开销也随之增加,需要的硬件及占用的内容也有所增加,使得执行速度大大下降。
用于存储器的芯片有不同的类型。
可随机读写,且只要不断电,则其中存储的信息就可一直保存,称为(32)。
可随机读写,但即使在不断电的情况下其存储的信息也要定时刷新才不致丢失的,称为(33)。
所存信息由生产厂家用掩膜技术写好后就无法再改变的称为(34)。
通过紫外线照射后可擦除所有信息,然后重新写入新的信息并可多次进行的,称为(35)。
通过电信号可在数秒钟内快速删除全部信息,但不能进行字节级别删除操作的,称为(36)。
9.(C)
A. RAM
B. VRAM
C. DRAM
D. SRAM
解析:
10.(C)
A. EPROM
B. PROM
C. ROM
D. CDROM
解析:
11.(A)
A. EPROM
B. PROM
C. ROM
D. CDROM
解析:
12.(B)
A. E2PROM
B. Flash Memory
C. EPROM
D. Virtual Memory
解析:主存储器也就是我们简称的主存或内存,根据工艺和技术不同,可分为下列几种。
(1)RAM(random access memory):RAM存储器既可以写入也可以读出,但断电后信息无法保存,因此只能用于暂存数据。RAM又可分为DRAM和SRAM两种。
①DRAM(dynamic RAM):信息会随时间逐渐消失,因此需要定时对其进行刷新 (refresh)维持信息不丢失。
②SRAM (static RAM):在不断电的情况
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